使用離子束切割是一項適用于切割硬的，軟的，多孔的，熱敏感的，脆的和/或非均質多相復合型材料，獲得高質量切割截面，以適宜于掃描電子顯微鏡（SEM）微區(qū)分析（能譜分析EDS，波譜分析WDS，俄歇分析Auger，背散射電子衍射分析EBSD）和原子力顯微鏡（AFM）分析。

　　這一技術幾乎是*一個適用于任何材質樣品，獲得高質量切割截面的解決方法。使用該技術對樣品進行處理，樣品受到形變或損傷的可能性zui低，可暴露出樣品內部真實的結構信息。

　　在技術上超越了傳統(tǒng)的離子束拋光切割設備。它使用三離子束，并可裝配冷凍樣品臺和三樣品臺，可以高速率離子束轟擊樣品，得到寬且深的切割區(qū)域，獲得一個高質量的平整的切割截面，幾乎適用于任何材料，整個樣品處理過程快速簡便。

　　三離子束部件垂直于樣品側表面，因此在進行離子束轟擊時樣品（固定在樣品托上）不需要做擺動運動以減少投影/遮擋效應，這又保證有效的熱傳導，減少樣品在處理過程中受熱變形。

　　三離子束切割儀的技術

　　三離子束匯聚于擋板邊緣的中點，形成一個100°轟擊扇面，切向暴露于擋板上方的樣品（樣品上端高出擋板約20-100um），直到轟擊到達樣品內部目標區(qū)域。新型設計的離子槍可產生的離子束研磨速率達到300um/h(Si10kV，3.0mA，50um切割高度)。*的三離子束系統(tǒng)，可獲得優(yōu)異的高質量切割截面，并且速率高，切割面寬且深，這可大大節(jié)約工作時間。通過這一*技術可獲得高質量切割截面，區(qū)域尺寸可達>4×1mm使用。在使用時，每一把離子槍可以單獨控制和開關。這便于操作者根據應用需要設置不同的離子槍參數(shù)，如做襯度增強作用（離子束刻蝕）或溫和地離子束轟擊。